Stampa pagina
STD80N240K6
MOSFET di potenza, canale N, 800 V, 16 A, 0.197 ohm, TO-252 (DPAK), montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTD80N240K6
Codice Prodotto3993597RL
Gamma ProdottiMDmesh K6 Series
Datasheet tecnico
1 531 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 3,070 |
| 500+ | € 2,740 |
| 1000+ | € 2,570 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 1
€ 312,00 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTD80N240K6
Codice Prodotto3993597RL
Gamma ProdottiMDmesh K6 Series
Datasheet tecnico
Polarità Transistorcanale N
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds800V
Corrente Continua di Drain Id16A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.197ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.197ohm
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3.5V
Dissipazione di potenza105W
Dissipazione di Potenza Pd105W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiMDmesh K6 Series
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
canale N
Tensione Drain Source Vds
800V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.197ohm
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
105W
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
MDmesh K6 Series
Standard di Qualifica Automotive
-
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
16A
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.197ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3.5V
Dissipazione di Potenza Pd
105W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00033
Tracciabilità del prodotto