STD5NM60T4
MOSFET di potenza, canale N, 650 V, 5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 1,160 |
| 10+ | € 1,070 |
| 100+ | € 1,030 |
| 500+ | € 1,020 |
| 1000+ | € 1,010 |
| 5000+ | € 0,891 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
STD5NM60T4 è un MOSFET di potenza MDmesh™ a canale N dotato di una resistenza in conduzione ridotta eccezionale, dv/dt impressionantemente alto e caratteristiche di valanga eccellenti. MDmesh™ è una nuova tecnologia di MOSFET di potenza rivoluzionaria che associa molteplici processi di scarico con il layout orizzontale PowerMESH™ dell'azienda. L'adozione della tecnica dello strip proprietaria dell'azienda produce delle prestazioni complessive dinamiche significativamente migliori rispetto ai prodotti simili della concorrenza.
- 100% testato per valanga
- Alta capacità di valanga e dv/dt
- Bassa carica di gate e capacità elettrica di ingresso
- Bassa resistenza di ingresso del gate
Avvertenze
La domanda di mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna. Le date di consegna potrebbero variare. Prodotto esente da sconti.
Specifiche tecniche
canale N
5A
TO-252 (DPAK)
10V
96W
150°C
-
650V
1ohm
montaggio superficiale (SMT)
4V
3Pin
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Alternative per STD5NM60T4
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto