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STD45P4LLF6AG
MOSFET di potenza, canale P, 40 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTD45P4LLF6AG
Codice Prodotto3129906RL
Gamma ProdottiSTripFET F6
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTD45P4LLF6AG
Codice Prodotto3129906RL
Gamma ProdottiSTripFET F6
Datasheet tecnico
Polarità Transistorcanale P
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds40V
Corrente Continua di Drain Id50A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.012ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.012ohm
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.5V
Dissipazione di Potenza Pd58W
Dissipazione di potenza58W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiSTripFET F6
QualificazioniAEC-Q101
Standard di Qualifica AutomotiveAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
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Specifiche tecniche
Polarità Transistor
canale P
Tensione Drain Source Vds
40V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.012ohm
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di Potenza Pd
58W
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
STripFET F6
Standard di Qualifica Automotive
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
50A
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.012ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.5V
Dissipazione di potenza
58W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per STD45P4LLF6AG
7 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00035
Tracciabilità del prodotto