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STB55NF06LT4
MOSFET di potenza, canale N, 30 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTB55NF06LT4
Codice Prodotto1752002RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds30V
Corrente Continua di Drain Id55A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.018ohm
Stile di Case del TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)16V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.7V
Dissipazione di potenza95W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
STB55NF06LT4 è un MOSFET di potenza STripFET™ II a canale N sviluppato sulla base del processo strip-based Single Feature Size™ unico di STMicroelectronics. Il dispositivo ha una densità di package estremamente altam che gli garantisce una bassa resistenza di ON, caratteristiche di valanga rinforzate, step di allineamento meno critici e pertanto una riproducibilità eccezionale.
- Capacità di dv/dt eccezionale
- Testato in modalità a valanga al 100%
- Caratterizzazione specifica per determinate applicazioni
- Temperatura di giunzione di esercizio: da -55 a 175°C
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
55A
Stile di Case del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensione di test di Rds(on)
16V
Dissipazione di potenza
95W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
30V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.018ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.7V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001685
Tracciabilità del prodotto