Stampa pagina
STB46NF30
MOSFET di potenza, canale N, 300 V, 42 A, 0.063 ohm, TO-263 (D2PAK), montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTB46NF30
Codice Prodotto2807184
Gamma ProdottiSTripFET II
Datasheet tecnico
3 403 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 4,460 |
| 10+ | € 2,990 |
| 100+ | € 2,150 |
| 500+ | € 1,950 |
| 1000+ | € 1,710 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 1
Più: 1
€ 4,46 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTB46NF30
Codice Prodotto2807184
Gamma ProdottiSTripFET II
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds300V
Corrente Continua di Drain Id42A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.063ohm
Stile di Case del TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza300W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiSTripFET II
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
STB46NF30 is a N-channel STripFET™ II power MOSFET. It has been developed using STMicroelectronics’ unique STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC/DC converter for telecom and computer applications, and applications with low gate charge driving requirements. Suitable for switching applications.
- Exceptional dv/dt capability, 100% avalanche tested, low gate charge
- 300V min drain-source voltage (VGS = 0V, ID = 1mA, TC = 25°C)
- 0.063ohm typ static drain-source on-resistance (VGS = 10V, ID = 17A, TC = 25°C)
- 42A drain current (continuous) at TC = 25°C, 300W total dissipation (TC = 25°C)
- 1oµA max zero gate voltage drain current (VGS = 0V, VDS = 300V, TC = 125°C)
- 3200pF typ input capacitance (VDS = 25V, f = 1MHz, VGS = 0V)
- 442pF typ output capacitance (VDS = 25V, f = 1MHz, VGS = 0V)
- 38ns typ rise time (VDD = 150V, ID = 17A, RG = 4.7ohm, VGS = 10V)
- 46ns typ fall time (VDD = 150V, ID = 17A, RG = 4.7ohm, VGS = 10V)
- D²PAK package, operating junction temperature range from -55 to 175°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
42A
Stile di Case del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
300W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
300V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.063ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
STripFET II
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0023
Tracciabilità del prodotto