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STB42N65M5
MOSFET di potenza, canale N, 650 V, 33 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTB42N65M5
Codice Prodotto2098141
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds650V
Corrente Continua di Drain Id33A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.07ohm
Stile di Case del TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza190W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
The STB42N65M5 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET offers excellent switching performance. The MDmesh™ V is a revolutionary Power MOSFET technology based on an innovative proprietary vertical process, which is combined with STMicroelectronics' well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low ON-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFET, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiencies.
- TO-220 worldwide best RDS (ON)
- Higher VDSS rating
- High dV/dt capability
- Easy to drive
- 100% Avalanche tested
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
33A
Stile di Case del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
190W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
650V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.07ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001715
Tracciabilità del prodotto