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STB3NK60ZT4
MOSFET di potenza, canale N, 600 V, 2.4 A, 3.3 ohm, TO-263 (D2PAK), montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTB3NK60ZT4
Codice Prodotto1751996
Gamma ProdottiSuperMESH
Datasheet tecnico
249 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTB3NK60ZT4
Codice Prodotto1751996
Gamma ProdottiSuperMESH
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds600V
Corrente Continua di Drain Id2.4A
Resistenza Drain-Source in conduzione3.3ohm
Stile di Case del TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3.75V
Dissipazione di potenza45W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiSuperMESH
Qualificazioni-
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
2.4A
Stile di Case del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
45W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
600V
Resistenza Drain-Source in conduzione
3.3ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3.75V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
SuperMESH
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0002