Stampa pagina
STB13N60M2
MOSFET di potenza, canale N, 600 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK), montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTB13N60M2
Codice Prodotto3130026RL
Gamma ProdottiMDmesh M2
Datasheet tecnico
878 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 50+ | € 1,540 |
| 200+ | € 1,290 |
| 500+ | € 1,040 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 1
€ 159,00 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTB13N60M2
Codice Prodotto3130026RL
Gamma ProdottiMDmesh M2
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Polarità Transistorcanale N
Tensione Drain Source Vds600V
Corrente Continua di Drain Id11A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.35ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.35ohm
Stile di Case del TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di Potenza Pd110W
Dissipazione di potenza110W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiMDmesh M2
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
600V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.35ohm
Stile di Case del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di Potenza Pd
110W
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
MDmesh M2
Standard di Qualifica Automotive
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Polarità Transistor
canale N
Corrente Continua di Drain Id
11A
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.35ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Dissipazione di potenza
110W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per STB13N60M2
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001586
Tracciabilità del prodotto