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SGT070R70HTO
Transistore al nitruro di gallio (GaN), 700 V, 26 A, 0.07 ohm, 8.5 nC, TO-LL
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| Quantità | |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSGT070R70HTO
Codice Prodotto4785161
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds700V
Corrente Continua di Drain Id26A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.07ohm
Carica di gate tipica8.5nC
Stile di Case del TransistorTO-LL
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Numero di pin11Pin
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
700V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.07ohm
Stile di Case del Transistor
TO-LL
Numero di pin
11Pin
Qualificazioni
-
Corrente Continua di Drain Id
26A
Carica di gate tipica
8.5nC
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto