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SCTW90N65G2V
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
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411 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSCTW90N65G2V
Codice Prodotto3387278
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id119A
Tensione Drain Source Vds650V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.018ohm
Stile di Case del TransistorTO-247
Numero di pin3Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima3.2V
Dissipazione di potenza565W
Temperatura di esercizio max200°C
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
119A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.018ohm
Numero di pin
3Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
3.2V
Temperatura di esercizio max
200°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
650V
Stile di Case del Transistor
TO-247
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
565W
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0045