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SCTH40N120G2V-7
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, H2PAK
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSCTH40N120G2V-7
Codice Prodotto3758567
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id36A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.07ohm
Stile di Case del TransistorH2PAK
Numero di pin7Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.45V
Dissipazione di potenza238W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
36A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.07ohm
Numero di pin
7Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.45V
Temperatura di esercizio max
175°C
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
H2PAK
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
238W
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00154