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SCT20N120
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, HiP247
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSCT20N120
Codice Prodotto2807234
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id20A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.169ohm
Stile di Case del TransistorHiP247
Numero di pin3Pin
Tensione di test di Rds(on)20V
Tensione di soglia Gate-Source massima3.5V
Dissipazione di potenza175W
Temperatura di esercizio max200°C
Gamma di prodotti-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
Avvertenze
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Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
20A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.169ohm
Numero di pin
3Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
3.5V
Temperatura di esercizio max
200°C
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
HiP247
Tensione di test di Rds(on)
20V
Dissipazione di potenza
175W
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00655