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SCT055HU65G3AG
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, HU3PAK
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSCT055HU65G3AG
Codice Prodotto4285874RL
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id30A
Tensione Drain Source Vds650V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.072ohm
Stile di Case del TransistorHU3PAK
Numero di pin7Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima4.2V
Dissipazione di potenza185W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
30A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.072ohm
Numero di pin
7Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.2V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
650V
Stile di Case del Transistor
HU3PAK
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
185W
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001
Tracciabilità del prodotto