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SCT040W120G3-4
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 40 A, 1.2 kV, 0.054 ohm, HiP247
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSCT040W120G3-4
Codice Prodotto4555800
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id40A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.054ohm
Stile di Case del TransistorHiP247
Numero di pin4Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima4.2V
Dissipazione di potenza312W
Temperatura di esercizio max200°C
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
40A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.054ohm
Numero di pin
4Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.2V
Temperatura di esercizio max
200°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
HiP247
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
312W
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.061
Tracciabilità del prodotto