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SCT025W120G3AG
MOSFET di potenza, canale N, 1.2 kV, 56 A, 0.037 ohm, HiP247, foro passante (THT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSCT025W120G3AG
Codice Prodotto4472223
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Corrente Continua di Drain Id56A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.037ohm
Stile di Case del TransistorHiP247
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima4.2V
Dissipazione di potenza388W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max200°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
56A
Stile di Case del Transistor
HiP247
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
388W
Temperatura di esercizio max
200°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.037ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.2V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:In attesa di conferma
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Tracciabilità del prodotto