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SCT020W120G3-4AG
MOSFET di potenza, canale N, 1.2 kV, 100 A, 0.028 ohm, HiP247, foro passante (THT)
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| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 22,020 |
| 5+ | € 21,830 |
| 10+ | € 21,630 |
| 50+ | € 21,440 |
| 100+ | € 21,240 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSCT020W120G3-4AG
Codice Prodotto4472222
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Corrente Continua di Drain Id100A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.028ohm
Stile di Case del TransistorHiP247
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima4.2V
Dissipazione di potenza541W
Numero di pin4Pin
Temperatura di esercizio max200°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
100A
Stile di Case del Transistor
HiP247
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
541W
Temperatura di esercizio max
200°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.028ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.2V
Numero di pin
4Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto