Ti serve altro?
Quantità | |
---|---|
1+ | € 5,310 |
10+ | € 5,250 |
25+ | € 5,190 |
50+ | € 5,140 |
100+ | € 5,080 |
250+ | € 5,020 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
MASTERGAN3 è un SiP di potenza avanzato che integra un gate driver e due transistori GaN ad arricchimento in configurazione a mezzo ponte asimmetrica. I GaN di potenza integrati hanno una tensione di blocco drain‑source di 650V ed RDS(ON) di 225mohm e 450mohm rispettivamente per il low side e l'high side, mentre il lato alto del gate driver embedded può essere alimentato con facilità dal diodo bootstrap integrato. MASTERGAN3 è dotato di protezione UVLO sulle sezioni di drive inferiori e superiori, prevenendo che gli interruttori di potenza rimangano attivi in condizioni di bassa efficienza o pericolose, mentre la funzione di interblocco evita le condizioni di conduzione incrociata. Il range esteso dei pin di ingresso permette un interfacciamento facile con i microcontrollori, le unità DSP o i sensori a effetto Hall. MASTERGAN3 opera nel range di temperature industriali da -40°C a 125°C. Il dispositivo è disponibile nel formato compatto QFN di 9x9 mm.
- Capacità di corrente inversa
- Zero perdite di recupero inverso
- Match di temporizzazione interna accurata
- Ingressi compatibili con 3.3V-15V con isteresi e pull-down
- Protezione dal surriscaldamento
- Riduzione della distinta base
- Layout semplificato e molto compatto
- Design flessibile, facile e rapido
Specifiche tecniche
4.75V
4A
-V
31Pin
MasterGaN
-
9.5V
-V
QFN-EP
-kHz
MSL 3 - 168 ore
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Prodotti associati
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto