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L6571BD013TR
Gate driver, 2 Canali, mezzo ponte, IGBT, MOSFET, 8 Pin, SOIC
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreL6571BD013TR
Codice Prodotto4036068RL
Datasheet tecnico
Numero di canali2Canali
Tipo di Gate Driver-
Configurazione Drivermezzo ponte
Tipo di Interruttore di PotenzaIGBT, MOSFET
Numero di pin8Pin
Package/case del circuito integratoSOIC
Montaggio CImontaggio superficiale
Tipo di IngressoNon-Invertente
Corrente di Source (Sorgente)170mA
Corrente di Sink (Pozzo)270mA
Tensione di alimentazione min10V
Tensione di alimentazione max16.6V
Temperatura di esercizio min-40°C
Temperatura di esercizio max125°C
Ritardo Ingresso-
Ritardo in Uscita-
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
L6571BD013TR is a high voltage half bridge driver with oscillator. The frequency of the oscillator can be programmed using external resistor and capacitor. The internal circuitry of the driver allows by external logic signal. The output driver are designed to drive external N-channel power MOSFET and IGBT. The internal logic assures a dead time to avoid cross conduction of the power devices. They differ internal dead time 1.25μs and 0.72μs (typ).
- High voltage rail upto 600V
- BCD off line technology, case style is SO8
- Zener clamp on Vs is 15.6V
- Driver current capability for sink current is 270mA and for source current is 170mA
- Very low start up current is 150mA
- Undervoltage lockout with hysteresis
- Programmable oscillator frequency
- Dead time is 0.72μs
- dV/dt immunity upto ±50V/ns, ESD protection
- Supply voltage is 10V, operating temperature range is -40°C to 125°C
Specifiche tecniche
Numero di canali
2Canali
Configurazione Driver
mezzo ponte
Numero di pin
8Pin
Montaggio CI
montaggio superficiale
Corrente di Source (Sorgente)
170mA
Tensione di alimentazione min
10V
Temperatura di esercizio min
-40°C
Ritardo Ingresso
-
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tipo di Gate Driver
-
Tipo di Interruttore di Potenza
IGBT, MOSFET
Package/case del circuito integrato
SOIC
Tipo di Ingresso
Non-Invertente
Corrente di Sink (Pozzo)
270mA
Tensione di alimentazione max
16.6V
Temperatura di esercizio max
125°C
Ritardo in Uscita
-
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00008
Tracciabilità del prodotto