EVSTDRIVEG600DG

Scheda dimostrativa per il gate driver a mezzo ponte ad alta velocità STDRIVEG600 da 600V con transistori HEMT in GaN ad arricchimento. STDRIVEG600 è un gate driver a mezzo ponte ad alta velocità ottimizzato per pilotare i transistori HEMT in GaN ad arricchimento. È dotato di un diodo bootstrap integrato e permette l'alimentazione degli interruttori esterni fino a 20V, con protezione dalla sottotensione su misura per gli HEMT in GaN. La scheda EVSTDRIVEG600DG è facile da usare e rapida da adattare per la valutazione delle caratteristiche di STDRIVEG600 nel pilotare gli interruttori in GaN e-Mode di 650V. Offre un generatore di tempo morto programmabile integrato e un regolatore di tensione lineare di 3.3V per alimentare i controllori logici esterni come microcontrollori. Include inoltre dei footprint di ricambio per permettere di personalizzare la scheda per l'applicazione finale, come un segnale di input separato o un singolo segnale PWM, l'utilizzo di un diodo bootstrap esterno opzionale, l'alimentazione separata per VCC, PVCC o BOOT e l'utilizzo del resistore di shunt low side per le topologie di modalità di corrente di picco.

• Topologia a mezzo ponte con gate driver STDRIVEG600 a 600V
• Dotato di HEMT in GaN da 150mohm, 650V
• GaN in formato PowerFLAT di 5x6mm con sorgente Kelvin
• Bus HV fino a 500V
• Tensione di alimentazione del gate driver: VCC = 4.75-6.5V, limitato dal rating di VGS GaN
• Generatore di tempo morto regolabile integrato
• È anche possibile usare input separati con tempo morto esterno
• Regolatore da 3.3V integrato per l'alimentazione della circuiteria esterna
• Resistenza termica da giunzione ad ambiente di 25°C/W per valutare le grandi topologie di potenza
• Connettore ad alta frequenza per il monitoraggio dei transistori di potenza GaN