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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreBD678
Codice Prodotto9946446
Datasheet tecnico
Polarità TransistorPNP
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo60V
Dissipazione di Potenza Pd40W
Corrente di Collettore CC4A
Case Transistor RFSOT-32
Numero di pin3Pin
Guadagno di Corrente CC hFE750hFE
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
The BD678 is a PNP complementary power Darlington Transistor manufactured in Planar Base Island technology. It offers monolithic Darlington configuration with integrated anti-parallel collector-emitter diode.
- Good hFE linearity
- High fT frequency
Avvertenze
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Specifiche tecniche
Polarità Transistor
PNP
Dissipazione di Potenza Pd
40W
Case Transistor RF
SOT-32
Guadagno di Corrente CC hFE
750hFE
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
60V
Corrente di Collettore CC
4A
Numero di pin
3Pin
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Alternative per BD678
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:India
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:India
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.004082