Stampa pagina
GD400SGY120C2S
Modulo IGBT, configurazione singola, 630 A, 1.65 V, 2.083 kW, 150 °C, modulo
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 24 settimana/e
Avvisami non appena disponibile
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 83,950 |
| 5+ | € 77,900 |
| 10+ | € 70,780 |
| 50+ | € 68,210 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 83,95 (IVA esc)
nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTARPOWER
Cod. produttoreGD400SGY120C2S
Codice Prodotto3912075
Datasheet tecnico
Configurazione Transistore IGBTconfigurazione singola
Corrente di Collettore CC630A
Corrente di Collettore continua630A
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)1.65V
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore1.65V
Dissipazione di Potenza Pd2.083kW
Dissipazione di potenza2.083kW
Temperatura di esercizio max150°C
Temperatura di Giunzione Tj Max150°C
Stile di Case del Transistormodulo
Terminazione IGBTprigioniero
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo1.2kV
Massima tensione Collettore-Emettitore1.2kV
Tecnologia Transistore IGBTTrench
Montaggio Transistorea pannello
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (17-Jan-2022)
Specifiche tecniche
Configurazione Transistore IGBT
configurazione singola
Corrente di Collettore continua
630A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
1.65V
Dissipazione di potenza
2.083kW
Temperatura di Giunzione Tj Max
150°C
Terminazione IGBT
prigioniero
Massima tensione Collettore-Emettitore
1.2kV
Montaggio Transistore
a pannello
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2022)
Corrente di Collettore CC
630A
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)
1.65V
Dissipazione di Potenza Pd
2.083kW
Temperatura di esercizio max
150°C
Stile di Case del Transistor
modulo
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
1.2kV
Tecnologia Transistore IGBT
Trench
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (17-Jan-2022)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.3