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GD15PJX65L2S
Modulo IGBT, raddrizzatore di ingresso trifase PIM, 30 A, 1.45 V, 112 W, 150 °C, modulo
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTARPOWER
Cod. produttoreGD15PJX65L2S
Codice Prodotto4076248
Datasheet tecnico
Configurazione Transistore IGBTraddrizzatore di ingresso trifase PIM
Corrente di Collettore continua30A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore1.45V
Dissipazione di potenza112W
Temperatura di esercizio max150°C
Stile di Case del Transistormodulo
Terminazione IGBTa saldare
Massima tensione Collettore-Emettitore650V
Tecnologia Transistore IGBTTrench Field Stop
Montaggio Transistoremodulo
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)To Be Advised
Specifiche tecniche
Configurazione Transistore IGBT
raddrizzatore di ingresso trifase PIM
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
1.45V
Temperatura di esercizio max
150°C
Terminazione IGBT
a saldare
Tecnologia Transistore IGBT
Trench Field Stop
Gamma di prodotti
-
Corrente di Collettore continua
30A
Dissipazione di potenza
112W
Stile di Case del Transistor
modulo
Massima tensione Collettore-Emettitore
650V
Montaggio Transistore
modulo
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
To Be Advised
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)To Be Advised
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.024