Stampa pagina
GD1200SGX170C3SN
Modulo IGBT, configurazione singola, 1.2 kA, 1.85 V, 150 °C, modulo
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
9 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 319,070 |
| 5+ | € 316,660 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 319,07 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTARPOWER
Cod. produttoreGD1200SGX170C3SN
Codice Prodotto3912083
Datasheet tecnico
Configurazione Transistore IGBTconfigurazione singola
Corrente di Collettore CC1.2kA
Corrente di Collettore continua1.2kA
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore1.85V
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)1.85V
Dissipazione di Potenza Pd-
Dissipazione di potenza-
Temperatura di Giunzione Tj Max150°C
Temperatura di esercizio max150°C
Stile di Case del Transistormodulo
Terminazione IGBTprigioniero
Massima tensione Collettore-Emettitore1.7kV
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo1.7kV
Tecnologia Transistore IGBTTrench
Montaggio Transistorea pannello
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (17-Jan-2022)
Specifiche tecniche
Configurazione Transistore IGBT
configurazione singola
Corrente di Collettore continua
1.2kA
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)
1.85V
Dissipazione di potenza
-
Temperatura di esercizio max
150°C
Terminazione IGBT
prigioniero
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
1.7kV
Montaggio Transistore
a pannello
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2022)
Corrente di Collettore CC
1.2kA
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
1.85V
Dissipazione di Potenza Pd
-
Temperatura di Giunzione Tj Max
150°C
Stile di Case del Transistor
modulo
Massima tensione Collettore-Emettitore
1.7kV
Tecnologia Transistore IGBT
Trench
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (17-Jan-2022)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):1.5