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2N3866
Transistore RF bipolare, NPN, 30 V, 800 MHz, 5 W, 400 mA, TO-39
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Fuori produzione
Informazioni sui prodotti
ProduttoreSOLID STATE
Cod. produttore2N3866
Codice Prodotto2101467
Datasheet tecnico
Polarità TransistorNPN
Massima tensione Collettore-Emettitore30V
Frequenza di transizione800MHz
Dissipazione di potenza5W
Corrente di Collettore continua400mA
Stile di Case del TransistorTO-39
Numero di pin3Pin
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo10hFE
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Temperatura di esercizio max200°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
Il 2N3866 è un transistor al silicio NPN. È pensato per amplificatori, moltiplicatori di frequenza e oscillatori nelle apparecchiature militari e industriali. È adatto per gli stadi di uscita, driver o pre driver nelle apparecchiature VHF e UHF.
- Tensione di rottura collettore-emettitore: 55VDC min (TA = 25°C, IC = 5mAdc, RBE = 10 ohm)
- Tensione di rottura emettitore-base: 3,5VDC min (IE = 0,1mADC, IC = 0, TA = 25°C)
- Corrente di cutoff collettore: 20µA max (VCE = 28VDC, IB = 0, TA = 25°C)
- Guadagno di corrente DC: 10-200 (IC = 0,05ADC, VDC = 5VDC, TA = 25°C)
- Tensione di saturazione collettore-emettitore: 1VDC max (IC = 100mADC, IB = 20mADC, TA = 25°C)
- Prodotto guadagno-larghezza di banda: 800MHz tipico (IC = 50mADC, VCE = 15VDC, f = 200MHz, TA = 25°C)
- Guadagno di potenza: 10dB min (pin = 0,1W, VCE = 28VDC, F = 400MHz, TA = 25°C)
- Uscita di potenza: 1W min (pin = 0,1W, VCE = 28VDC, F = 400MHz, TA = 25°C)
- Efficienza collettore: 45% min (pin = 0,1W, VCE = 28VDC, F = 400MHz, TA = 25°C)
- Temperatura di esercizio: da -65 a 200°C
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
NPN
Frequenza di transizione
800MHz
Corrente di Collettore continua
400mA
Numero di pin
3Pin
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Massima tensione Collettore-Emettitore
30V
Dissipazione di potenza
5W
Stile di Case del Transistor
TO-39
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo
10hFE
Temperatura di esercizio max
200°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000991