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SKM200GB125D
Modulo IGBT, mezzo ponte, 200 A, 3.3 V, 150 °C, modulo
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSEMIKRON
Cod. produttoreSKM200GB125D
Codice Prodotto2423692
Datasheet tecnico
Configurazione Transistore IGBTmezzo ponte
Polarità TransistorCanale N Doppio
Corrente di Collettore CC200A
Corrente di Collettore continua200A
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)3.3V
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore3.3V
Dissipazione di Potenza Pd-
Dissipazione di potenza-
Temperatura di Giunzione Tj Max150°C
Temperatura di esercizio max150°C
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo1.2kV
Stile di Case del Transistormodulo
Terminazione IGBTprigioniero
Numero di pin7Pin
Massima tensione Collettore-Emettitore1.2kV
Tecnologia Transistore IGBTIGBT NPT [Ultrafast]
Montaggio Transistorea pannello
Gamma di prodotti-
Panoramica del prodotto
SKM200GB125D è un modulo IGBT ultra rapido SEMITRANS® 3 da usare con gli inverter risonanti e nei sistemi di riscaldamento fino a 100kHz. È caratterizzato da una piastra base di rame isolato che sfrutta la tecnologia DCB (ossia la giunzione diretta dei substrati ceramici con lamine di rame) e da una corrente di coda ridotta con bassa dipendenza dalla temperatura.
- Interruttore Half-bridge
- Canale N, Si omogeneo
- Case a bassa induttanza
- Alta capacità di cortocircuito, auto limitazione a 6 IC
- Diodi CAL con inversione rapida e soft
- Ampia distanza conduttiva minima superficiale (20mm) e in aria (13mm)
Specifiche tecniche
Configurazione Transistore IGBT
mezzo ponte
Corrente di Collettore CC
200A
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)
3.3V
Dissipazione di Potenza Pd
-
Temperatura di Giunzione Tj Max
150°C
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
1.2kV
Terminazione IGBT
prigioniero
Massima tensione Collettore-Emettitore
1.2kV
Montaggio Transistore
a pannello
Polarità Transistor
Canale N Doppio
Corrente di Collettore continua
200A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
3.3V
Dissipazione di potenza
-
Temperatura di esercizio max
150°C
Stile di Case del Transistor
modulo
Numero di pin
7Pin
Tecnologia Transistore IGBT
IGBT NPT [Ultrafast]
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (2)
Alternative per SKM200GB125D
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Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Slovak Republic
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Slovak Republic
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.18
Tracciabilità del prodotto