Stampa pagina
SKHI 22A H4 R
Driver IGBT, mezzo ponte, 8A, 14,4V-15,6V, modulo
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreSEMIKRON
Cod. produttoreSKHI 22A H4 R
Codice Prodotto2423646
Gamma ProdottiSEMIDRIVER Series
Datasheet tecnico
9 A Stock
60 Puoi prenotare le disponibilità ora
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 159,500 |
| 5+ | € 150,340 |
| 10+ | € 140,590 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 159,50 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreSEMIKRON
Cod. produttoreSKHI 22A H4 R
Codice Prodotto2423646
Gamma ProdottiSEMIDRIVER Series
Datasheet tecnico
Configurazione Transistore IGBTdoppio (mezzo ponte)
Corrente di Collettore continua-
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore-
Configurazione Drivermezzo ponte
Tipo di Interruttore di PotenzaIGBT
Dissipazione di potenza-
Temperatura di esercizio max85°C
Stile di Case del TransistorSMD
Package/case del circuito integratomodulo
Terminazione IGBTa saldare
Massima tensione Collettore-Emettitore1.7kV
Tecnologia Transistore IGBT-
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di alimentazione min14.4V
Gamma di prodottiSEMIDRIVER Series
Tensione di alimentazione max15.6V
Temperatura di esercizio min-40°C
Ritardo Ingresso1µs
Ritardo in Uscita1µs
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Panoramica del prodotto
SKHI 22A H4 R is a SEMIDRIVER™ hybrid dual IGBT driver. It is used for IGBT modules in bridge circuits in industrial applications.
- Compatible to old SKHI 22, turn on gate voltage output is 15V typical
- CMOS compatible inputs, turn off gate voltage output is -7V typical
- Short protection by VCE monitoring and switch off
- Drive interlock top/bottom, internal gate emitter resistance is 22Kohm typical
- Isolation by transformers, input to output turn on propagation time is 1µs typical
- Supply undervoltage protection (13V)
- Error latch/output, error reset time is 9µs typical
- Supply voltage primary side is 15V typical
- Supply current primary side (no load) is 80mA typical
- Operating temperature range from -40°C to 85°C
Specifiche tecniche
Configurazione Transistore IGBT
doppio (mezzo ponte)
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
-
Tipo di Interruttore di Potenza
IGBT
Temperatura di esercizio max
85°C
Package/case del circuito integrato
modulo
Massima tensione Collettore-Emettitore
1.7kV
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti
SEMIDRIVER Series
Temperatura di esercizio min
-40°C
Ritardo in Uscita
1µs
Corrente di Collettore continua
-
Configurazione Driver
mezzo ponte
Dissipazione di potenza
-
Stile di Case del Transistor
SMD
Terminazione IGBT
a saldare
Tecnologia Transistore IGBT
-
Tensione di alimentazione min
14.4V
Tensione di alimentazione max
15.6V
Ritardo Ingresso
1µs
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.061991
Tracciabilità del prodotto