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UMX1NTN
Array di transistori bipolari, doppio, NPN doppio, 50 V, 150 mA, 150 mW
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreROHM
Cod. produttoreUMX1NTN
Codice Prodotto1680410
Datasheet tecnico
Polarità TransistorNPN doppio
Tensione collettore-emettitore max NPN50V
Tensione collettore-emettitore max PNP-
Corrente di collettore continua NPN150mA
Corrente di collettore continua PNP-
Dissipazione di potenza NPN150mW
Dissipazione di potenza PNP-
Guadagno di corrente DC (hFE) min NPN120hFE
Guadagno di corrente DC (hFE) min PNP-
Stile di Case del TransistorSOT-363
Numero di pin6Pin
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Temperatura di esercizio max150°C
Frequenza di transizione NPN180MHz
Frequenza di transizione PNP-
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Panoramica del prodotto
The UMX1NTN is a dual NPN general purpose amplification Bipolar Transistor with epitaxial planar type NPN silicon structure. The device integrating two transistors is available in ultra-compact package, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high-frequency oscillators and driver ICs.
- Ultra-compact complex digital transistor
- Potential divider type
- Small surface-mount package
- Transistor elements are independent, eliminating interference
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
NPN doppio
Tensione collettore-emettitore max PNP
-
Corrente di collettore continua PNP
-
Dissipazione di potenza PNP
-
Guadagno di corrente DC (hFE) min PNP
-
Numero di pin
6Pin
Temperatura di esercizio max
150°C
Frequenza di transizione PNP
-
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Tensione collettore-emettitore max NPN
50V
Corrente di collettore continua NPN
150mA
Dissipazione di potenza NPN
150mW
Guadagno di corrente DC (hFE) min NPN
120hFE
Stile di Case del Transistor
SOT-363
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Frequenza di transizione NPN
180MHz
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000136
Tracciabilità del prodotto