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SCT4062KWATL
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreROHM
Cod. produttoreSCT4062KWATL
Codice Prodotto4365769
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id24A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.081ohm
Stile di Case del TransistorTO-263
Numero di pin7Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima4.8V
Dissipazione di potenza93W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)To Be Advised
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
24A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.081ohm
Numero di pin
7Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.8V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
To Be Advised
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
TO-263
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
93W
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)To Be Advised
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.01
Tracciabilità del prodotto