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SCT2160KEHRC11
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247N
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreROHM
Cod. produttoreSCT2160KEHRC11
Codice Prodotto3816857
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id22A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.16ohm
Stile di Case del TransistorTO-247N
Numero di pin3Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.8V
Dissipazione di potenza165W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
22A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.16ohm
Numero di pin
3Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.8V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
TO-247N
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
165W
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0005
Tracciabilità del prodotto