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Informazioni sui prodotti
ProduttoreROHM
Cod. produttoreSCT2080KEHRC11
Codice Prodotto3052193
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id40A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.08ohm
Stile di Case del TransistorTO-247N
Numero di pin3Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.8V
Dissipazione di potenza262W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Panoramica del prodotto
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Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
40A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.08ohm
Numero di pin
3Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.8V
Temperatura di esercizio max
175°C
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
TO-247N
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
262W
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (23-Jan-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.005
Tracciabilità del prodotto