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RZF020P01TL
MOSFET di potenza, canale P, 12 V, 2 A, 0.105 ohm, SOT-323T, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreROHM
Cod. produttoreRZF020P01TL
Codice Prodotto2706702
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds12V
Corrente Continua di Drain Id2A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.105ohm
Stile di Case del TransistorSOT-323T
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)4.5V
Tensione di soglia Gate-Source massima1V
Dissipazione di potenza800mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
2A
Stile di Case del Transistor
SOT-323T
Tensione di test di Rds(on)
4.5V
Dissipazione di potenza
800mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Tensione Drain Source Vds
12V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.105ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00003