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RUM002N02T2L
MOSFET di potenza, canale N, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
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| 24000+ | € 0,0384 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreROHM
Cod. produttoreRUM002N02T2L
Codice Prodotto4319913
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds20V
Corrente Continua di Drain Id200mA
Resistenza Drain-Source in conduzione0.8ohm
Stile di Case del TransistorVMT
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)2.5V
Tensione di soglia Gate-Source massima1V
Dissipazione di potenza150mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
200mA
Stile di Case del Transistor
VMT
Tensione di test di Rds(on)
2.5V
Dissipazione di potenza
150mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
20V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.8ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.003316
Tracciabilità del prodotto