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RTQ020N05HZGTR
MOSFET di potenza, canale N, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreROHM
Cod. produttoreRTQ020N05HZGTR
Codice Prodotto3261754
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds45V
Corrente Continua di Drain Id2A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.19ohm
Stile di Case del TransistorTSMT
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)4.5V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.5V
Dissipazione di potenza1.25W
Numero di pin6Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
2A
Stile di Case del Transistor
TSMT
Tensione di test di Rds(on)
4.5V
Dissipazione di potenza
1.25W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Tensione Drain Source Vds
45V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.19ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.5V
Numero di pin
6Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documenti tecnici (1)
Alternative per RTQ020N05HZGTR
4 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00001