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RQ6E035ATTCR
MOSFET di potenza, canale P, 30 V, 3.5 A, 0.05 ohm, TSMT, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreROHM
Cod. produttoreRQ6E035ATTCR
Codice Prodotto2490244
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds30V
Corrente Continua di Drain Id3.5A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.05ohm
Stile di Case del TransistorTSMT
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.5V
Dissipazione di potenza1.25W
Numero di pin6Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
3.5A
Stile di Case del Transistor
TSMT
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
1.25W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Tensione Drain Source Vds
30V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.05ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.5V
Numero di pin
6Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (1)
Alternative per RQ6E035ATTCR
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.005577