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RJ1N10BBHTL1
MOSFET di potenza, canale N, 80 V, 235 A, 0.002 ohm, TO-263AB (D2PAK)
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| Quantità | |
|---|---|
| 10+ | € 4,380 |
| 100+ | € 3,320 |
| 500+ | € 3,020 |
| 1000+ | € 2,710 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreROHM
Cod. produttoreRJ1N10BBHTL1
Codice Prodotto4633502RL
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds80V
Corrente Continua di Drain Id235A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.002ohm
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza189W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
80V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.002ohm
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
3Pin
Corrente Continua di Drain Id
235A
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
189W
Temperatura di esercizio max
150°C
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00001
Tracciabilità del prodotto