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RH6G040CHTB1
MOSFET di potenza, canale N, 40 V, 135 A, 0.0025 ohm, HSMT, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 1,050 |
| 500+ | € 0,998 |
| 1000+ | € 0,945 |
| 5000+ | € 0,893 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreROHM
Cod. produttoreRH6G040CHTB1
Codice Prodotto4633499RL
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds40V
Corrente Continua di Drain Id135A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0025ohm
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza93W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
40V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0025ohm
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
8Pin
Corrente Continua di Drain Id
135A
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
93W
Temperatura di esercizio max
175°C
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00001
Tracciabilità del prodotto