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RGT8NS65DGTL
IGBT, Field Stop Trench, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263S, 3 Pin
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreROHM
Cod. produttoreRGT8NS65DGTL
Codice Prodotto2519786
Datasheet tecnico
Corrente di collettore continua8A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore1.65V
Dissipazione di potenza65W
Massima tensione Collettore-Emettitore650V
Stile di Case del TransistorTO-263S
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Specifiche tecniche
Corrente di collettore continua
8A
Dissipazione di potenza
65W
Stile di Case del Transistor
TO-263S
Temperatura di esercizio max
175°C
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
1.65V
Massima tensione Collettore-Emettitore
650V
Numero di pin
3Pin
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002
Tracciabilità del prodotto