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RD3H160SPFRATL
MOSFET di potenza, canale P, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
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| 7500+ | € 0,581 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreROHM
Cod. produttoreRD3H160SPFRATL
Codice Prodotto4319945
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds45V
Corrente Continua di Drain Id16A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.035ohm
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza20W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
16A
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
20W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Tensione Drain Source Vds
45V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.035ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000454
Tracciabilità del prodotto