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R6009KND3TL1
MOSFET di potenza, canale N, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-252 (DPAK), montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreROHM
Cod. produttoreR6009KND3TL1
Codice Prodotto4263616
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds600V
Corrente Continua di Drain Id9A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.535ohm
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima5V
Dissipazione di potenza94W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)To Be Advised
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
9A
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
94W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
600V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.535ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
5V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
To Be Advised
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)To Be Advised
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0003