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IMZ1AT108
Array di transistori bipolari, doppio, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 300 mW
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreROHM
Cod. produttoreIMZ1AT108
Codice Prodotto1680352
Datasheet tecnico
Polarità TransistorNPN, PNP
Tensione collettore-emettitore max NPN50V
Tensione collettore-emettitore max PNP50V
Corrente di collettore continua NPN150mA
Corrente di collettore continua PNP150mA
Dissipazione di potenza NPN300mW
Dissipazione di potenza PNP300mW
Guadagno di corrente DC (hFE) min NPN120hFE
Guadagno di corrente DC (hFE) min PNP120hFE
Stile di Case del TransistorSOT-457
Numero di pin6Pin
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Temperatura di esercizio max150°C
Frequenza di transizione NPN180MHz
Frequenza di transizione PNP140MHz
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Panoramica del prodotto
The IMZ1AT108 is a NPN-PNP general purpose Bipolar Transistor Array with epitaxial planar silicon structure. It has mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. The device integrating two transistors is available in ultra-compact package, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high-frequency oscillators and driver ICs.
- Transistor elements are independent, eliminating interference
- Mounting area can be cut in half
- Ultra-compact complex digital transistor
- Potential divider type
- Small surface-mount package
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
NPN, PNP
Tensione collettore-emettitore max PNP
50V
Corrente di collettore continua PNP
150mA
Dissipazione di potenza PNP
300mW
Guadagno di corrente DC (hFE) min PNP
120hFE
Numero di pin
6Pin
Temperatura di esercizio max
150°C
Frequenza di transizione PNP
140MHz
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Tensione collettore-emettitore max NPN
50V
Corrente di collettore continua NPN
150mA
Dissipazione di potenza NPN
300mW
Guadagno di corrente DC (hFE) min NPN
120hFE
Stile di Case del Transistor
SOT-457
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Frequenza di transizione NPN
180MHz
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000363
Tracciabilità del prodotto