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GNP1070TC-ZE2
Transistore al nitruro di gallio (GaN), 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 5.2 nC, DFN8080K
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreROHM
Cod. produttoreGNP1070TC-ZE2
Codice Prodotto4172944
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds650V
Corrente Continua di Drain Id20A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.07ohm
Carica di gate tipica5.2nC
Stile di Case del TransistorDFN8080K
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Numero di pin8Pin
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)To Be Advised
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
650V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.07ohm
Stile di Case del Transistor
DFN8080K
Numero di pin
8Pin
Qualificazioni
-
Corrente Continua di Drain Id
20A
Carica di gate tipica
5.2nC
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
To Be Advised
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)To Be Advised
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000012