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BSM400D12P2G003
MOSFET al carburo di silicio, mezzo ponte, doppio canale N, 400 A, 1.2 kV, modulo
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreROHM
Cod. produttoreBSM400D12P2G003
Codice Prodotto3573228
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETmezzo ponte
Tipo di canaledoppio canale N
Corrente Continua di Drain Id400A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione-
Stile di Case del Transistormodulo
Numero di pin-
Tensione di test di Rds(on)-
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza2.45kW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Panoramica del prodotto
BSM400D12P2G003 is a SiC power module. This product is a half bridge module consisting of SiC-DMOSFET and SiC-SBD. Application includes motor drive, inverter, converter, photovoltaics, wind power generation, induction heating equipment.
- Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
- Reduced temperature dependence
- 2.3V on-state static drain-source voltage (typ, Tj=25°C, ID=400A, VGS=18V)
- 397A drain current (DC(Tc=60°C) VGS=18V)
- 4mA drain cut-off current (max, VDS=1200V, VGS=0V, Tj=25°C)
- 1.8V source-drain voltage (typ, VGS=0V, IS=400A, Tj=25°C)
- 38nF input capacitance (typ, VDS=10V, VGS=0V,200KHz, Tj=25°C)
- 2500Vrms isolation voltage (terminals to baseplate f = 60Hz AC 1 min, Tj = 25°C)
- Junction temperature range from -40 to 150°C
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
mezzo ponte
Corrente Continua di Drain Id
400A
Resistenza Drain-Source in conduzione
-
Numero di pin
-
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Temperatura di esercizio max
150°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Tipo di canale
doppio canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
modulo
Tensione di test di Rds(on)
-
Dissipazione di potenza
2.45kW
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.28