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BSM300D12P4G101
MOSFET al carburo di silicio, mezzo ponte, doppio canale N, 291 A, 1.2 kV, modulo
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreROHM
Cod. produttoreBSM300D12P4G101
Codice Prodotto4168758
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETmezzo ponte
Tipo di canaledoppio canale N
Corrente Continua di Drain Id291A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione-
Stile di Case del Transistormodulo
Numero di pin11Pin
Tensione di test di Rds(on)-
Tensione di soglia Gate-Source massima4.8V
Dissipazione di potenza925W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)To Be Advised
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
mezzo ponte
Corrente Continua di Drain Id
291A
Resistenza Drain-Source in conduzione
-
Numero di pin
11Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.8V
Temperatura di esercizio max
150°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
To Be Advised
Tipo di canale
doppio canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
modulo
Tensione di test di Rds(on)
-
Dissipazione di potenza
925W
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)To Be Advised
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.394
Tracciabilità del prodotto