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BSM180C12P3C202
MOSFET al carburo di silicio, Chopper, canale N, 180 A, 1.2 kV, modulo
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreROHM
Cod. produttoreBSM180C12P3C202
Codice Prodotto3573219
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETChopper
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id180A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione-ohm
Stile di Case del Transistormodulo
Numero di pin-Pin
Tensione di test di Rds(on)-V
Tensione di soglia Gate-Source massima5.6V
Dissipazione di potenza880W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Panoramica del prodotto
BSM180C12P3C202 is a SiC power module. This product is a chopper module consisting of SiC-UMOSFET and SiC-SBD from ROHM. Application includes motor drive, converter, photovoltaics, wind power generation.
- Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
- Reduced temperature dependence
- 1.8V typical static drain-source on-state voltage (Tj=25°C, IC=180A, VGS=18V)
- 10µA maximum drain cut-off current (VDS=1200V, VGS=0V, Tj=25°C)
- Gate-source threshold voltage range from 2.7V to 5.6V (VDS=10V, ID=50mA, Tj=25°C)
- 9nF typical input capacitance (VDS=10V, VGS=0V, 100KHz, Tj=25°C)
- 30ns typ switching characteristics (VGS(on)=18V, VGS(off)=0V, VDS=600V, RG=3.9ohm inductive load)
- 2500Vrms isolation voltage (terminals to baseplate, f=60Hz AC 1min)
- 1.4ohm typical gate resistance (Tj=25°C)
- Junction temperature range from -40°C to150°C
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
Chopper
Corrente Continua di Drain Id
180A
Resistenza Drain-Source in conduzione
-ohm
Numero di pin
-Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
5.6V
Temperatura di esercizio max
150°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
modulo
Tensione di test di Rds(on)
-V
Dissipazione di potenza
880W
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.28