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TP70H150G4LSGB-TR
Transistore al nitruro di gallio (GaN), 700 V, 14.2 A, 0.18 ohm, 5.5 nC, QFN
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreRENESAS
Cod. produttoreTP70H150G4LSGB-TR
Codice Prodotto4680955RL
Gamma ProdottiSuperGaN Series
Datasheet tecnico
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 16 settimana/e
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| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 2,010 |
| 500+ | € 1,800 |
| 1000+ | € 1,700 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 1
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreRENESAS
Cod. produttoreTP70H150G4LSGB-TR
Codice Prodotto4680955RL
Gamma ProdottiSuperGaN Series
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds700V
Corrente Continua di Drain Id14.2A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.18ohm
Carica di gate tipica5.5nC
Stile di Case del TransistorQFN
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Numero di pin8Pin
Gamma di prodottiSuperGaN Series
Qualificazioni-
Panoramica del prodotto
TP70H150G4LSGB-TR is a 700V, 150mohm SuperGaN® Gallium Nitride (GaN) FET. It is a normally-off device using Renesas’ Gen IV platform. It combines a state-of-the art high voltage GaN HEMT with a low voltage silicon MOSFET to offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN® platform uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability while improving efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Applications include consumer, power adapters, low power SMPS and lighting.
- Dynamic RDS(on)eff production tested
- Transient over-voltage capability and E-mode gate driver operation without zener protection
- Very low QRR
- Reduced crossover loss
- 2kV HBM ESD rating
- Achieves increased efficiency in both hard- and soft-switched circuits
- Easy to drive with commonly used gate drivers
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
700V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.18ohm
Stile di Case del Transistor
QFN
Numero di pin
8Pin
Qualificazioni
-
Corrente Continua di Drain Id
14.2A
Carica di gate tipica
5.5nC
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti
SuperGaN Series
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto