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TP65H035G4YS
Transistore al nitruro di gallio (GaN), 650 V, 46.5 A, 0.041 ohm, 42.7 nC, TO-247
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreRENESAS
Cod. produttoreTP65H035G4YS
Codice Prodotto4680953
Gamma ProdottiSuperGaN Series
Datasheet tecnico
1 181 A Stock
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| Quantità | |
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| 5+ | € 17,180 |
| 10+ | € 14,300 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreRENESAS
Cod. produttoreTP65H035G4YS
Codice Prodotto4680953
Gamma ProdottiSuperGaN Series
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds650V
Corrente Continua di Drain Id46.5A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.041ohm
Carica di gate tipica42.7nC
Stile di Case del TransistorTO-247
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Numero di pin4Pin
Gamma di prodottiSuperGaN Series
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
TP65H035G4YS is a 650V, 35mohm gallium nitride (GaN) FET. It is a normally-off device using Renesas’s Gen IV platform. It combines a state-of-the-art high voltage GaN HEMT with a low voltage silicon MOSFET to offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN® platform uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability while improving efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. It is ideal for datacom, broad industrial, PV inverter and servo motor applications.
- JEDEC qualified GaN technology
- Dynamic RDS(on)eff production tested
- Robust design featuring a wide gate safety margin and transient over-voltage capability
- Enhanced inrush current capability and reduced crossover loss
- Enables AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs
- Achieves increased efficiency in both hard- and soft-switched circuits
- Easy to drive with commonly-used gate drivers
- GSD pin layout improves high speed design
- Available in 4 pin TO-247 package
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
650V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.041ohm
Stile di Case del Transistor
TO-247
Numero di pin
4Pin
Qualificazioni
-
Corrente Continua di Drain Id
46.5A
Carica di gate tipica
42.7nC
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Gamma di prodotti
SuperGaN Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto