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RMLV0408EGSB-4S2#HA1
SRAM, SRAM asincrona, LPSRAM, 4 Mbit, 512K parole x 8 bit, TSOP-II, 32 Pin, 2.7 V
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreRENESAS
Cod. produttoreRMLV0408EGSB-4S2#HA1
Codice Prodotto4146925RL
Datasheet tecnico
Tipo di SRAMSRAM asincrona, LPSRAM
Dimensione Memoria4Mbit
Densità di Memoria4Mbit
Configurazione Memoria SRAM512Kword x 8 bit
Intervallo di tensione di alimentazioneda 2,7V a 3,6V
Configurazione di memoria512K parole x 8 bit
Modello Case Memoria CITSOP-II
Package/case del circuito integratoTSOP-II
Numero di pin32Pin
Tensione di alimentazione min2.7V
Tempo di Accesso45ns
Tensione di alimentazione max3.6V
Tensione di Alimentazione Nom3V
Frequenza di Clock Max-
Montaggio CImontaggio superficiale
Temperatura di esercizio min-40°C
Temperatura di esercizio max85°C
Gamma di prodotti-
Standard di Qualifica Automotive-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
RMLV0408E series 4Mb advanced LPSRAM (512-kword × 8bit). It is a family of 4-Mbit static RAMs organized 524,288-word × 8bit, fabricated by Renesas’s high-performance Advanced LPSRAM technologies. This has realized higher density, higher performance, and low power consumption. It offers low power standby power dissipation, therefore, it is suitable for battery backup systems.
- Maximum access time is 45ns, typical current consumption standby is 0.3µA
- Equal access and cycle times, common data input and output three state output
- Directly TTL compatible all inputs and outputs, battery backup operation
- Supply voltage range from 2.7 to 3.6V, input high voltage is 2.2V (min)
- Input leakage current is 1µA (max, Vin = VSS to VCC)
- Operating current is 10mA (max, CS# =VIL, others = VIH/VIL, II/O = 0mA)
- Standby current is 0.3mA (max, CS2 = VIL, others = VSS to VCC)
- Input capacitance is 8pF (max, Vin =0V, Vcc = 2.7 to 3.6V, f = 1MHz, Ta = -40 to +85°C)
- Read cycle time is 45ns (minimum)
- 32-pin plastic TSOP package, temperature range from -40 to +85°C
Specifiche tecniche
Tipo di SRAM
SRAM asincrona, LPSRAM
Densità di Memoria
4Mbit
Intervallo di tensione di alimentazione
da 2,7V a 3,6V
Modello Case Memoria CI
TSOP-II
Numero di pin
32Pin
Tempo di Accesso
45ns
Tensione di Alimentazione Nom
3V
Montaggio CI
montaggio superficiale
Temperatura di esercizio max
85°C
Standard di Qualifica Automotive
-
Dimensione Memoria
4Mbit
Configurazione Memoria SRAM
512Kword x 8 bit
Configurazione di memoria
512K parole x 8 bit
Package/case del circuito integrato
TSOP-II
Tensione di alimentazione min
2.7V
Tensione di alimentazione max
3.6V
Frequenza di Clock Max
-
Temperatura di esercizio min
-40°C
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto