Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
22 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
Quantità | |
---|---|
1+ | € 12,500 |
10+ | € 10,940 |
25+ | € 9,060 |
50+ | € 8,130 |
100+ | € 7,500 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 1
Più: 1
€ 12,50 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreRENESAS
Cod. produttoreRMLV0408EGSA-4S2#KA1
Codice Prodotto4146924
Datasheet tecnico
Tipo di SRAMSRAM asincrona, LPSRAM
Densità di Memoria4Mbit
Configurazione di memoria512K parole x 8 bit
Package/case del circuito integratoSTSOP
Numero di pin32Pin
Tensione di alimentazione min2.7V
Tensione di alimentazione max3.6V
Tensione di Alimentazione Nom3V
Frequenza di Clock Max-
Montaggio CImontaggio superficiale
Temperatura di esercizio min-40°C
Temperatura di esercizio max85°C
Gamma di prodotti-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 3 - 168 ore
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
RMLV0408E series 4Mb advanced LPSRAM (512-kword × 8bit). It is a family of 4-Mbit static RAMs organized 524,288-word × 8bit, fabricated by Renesas’s high-performance Advanced LPSRAM technologies. This has realized higher density, higher performance, and low power consumption. It offers low power standby power dissipation, therefore, it is suitable for battery backup systems.
- Maximum access time is 45ns, typical current consumption standby is 0.3µA
- Equal access and cycle times, common data input and output three state output
- Directly TTL compatible all inputs and outputs, battery backup operation
- Supply voltage range from 2.7 to 3.6V, input high voltage is 2.2V (min)
- Input leakage current is 1µA (max, Vin = VSS to VCC)
- Operating current is 10mA (max, CS# =VIL, others = VIH/VIL, II/O = 0mA)
- Standby current is 0.3mA (max, CS2 = VIL, others = VSS to VCC)
- Input capacitance is 8pF (max, Vin =0V, Vcc = 2.7 to 3.6V, f = 1MHz, Ta = -40 to +85°C)
- Read cycle time is 45ns (minimum)
- 32-pin plastic TSOP package, temperature range from -40 to +85°C
Specifiche tecniche
Tipo di SRAM
SRAM asincrona, LPSRAM
Configurazione di memoria
512K parole x 8 bit
Numero di pin
32Pin
Tensione di alimentazione max
3.6V
Frequenza di Clock Max
-
Temperatura di esercizio min
-40°C
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Densità di Memoria
4Mbit
Package/case del circuito integrato
STSOP
Tensione di alimentazione min
2.7V
Tensione di Alimentazione Nom
3V
Montaggio CI
montaggio superficiale
Temperatura di esercizio max
85°C
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 3 - 168 ore
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001