Stampa pagina
R1LP0408DSB-5SI#S1
SRAM, SRAM asincrona, LPSRAM, 4 Mbit, 512K parole x 8 bit, TSOP-II, 32 Pin, 4.5 V
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 14 settimana/e
Avvisami non appena disponibile
| Quantità | |
|---|---|
| 10+ | € 11,420 |
| 25+ | € 11,060 |
| 50+ | € 10,740 |
| 100+ | € 10,410 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 10
Più: 1
€ 119,20 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreRENESAS
Cod. produttoreR1LP0408DSB-5SI#S1
Codice Prodotto4146919RL
Datasheet tecnico
Tipo di SRAMSRAM asincrona, LPSRAM
Dimensione Memoria4Mbit
Configurazione Memoria SRAM512Kword x 8 bit
Densità di Memoria4Mbit
Intervallo di tensione di alimentazioneda 4,5V a 5,5V
Configurazione di memoria512K parole x 8 bit
Modello Case Memoria CITSOP-II
Package/case del circuito integratoTSOP-II
Numero di pin32Pin
Tempo di Accesso55ns
Tensione di alimentazione min4.5V
Tensione di alimentazione max5.5V
Tensione di Alimentazione Nom5V
Frequenza di Clock Max-
Montaggio CImontaggio superficiale
Temperatura di esercizio min-40°C
Temperatura di esercizio max85°C
Gamma di prodotti-
Standard di Qualifica Automotive-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
R1LP0408DSB-5SI#S1 is a 4Mb advanced LPSRAM (512-kword × 8-bit). The R1LP0408D series has realized higher density, higher performance and low power consumption. The R1LP0408D series offers low power standby power dissipation; therefore, it is suitable for battery backup systems.
- Single 5V supply: 4.5V to 5.5V
- Access time is 55ns (maximum)
- Power dissipation: standby is 4µW (typical)
- Equal access and cycle times
- Common data input and output: three state output
- Directly TTL compatible: all inputs and outputs
- Battery backup operation
- 400-mil 32-pin plastic TSOP (II) package
- Temperature range from -40 to +85°C
Specifiche tecniche
Tipo di SRAM
SRAM asincrona, LPSRAM
Configurazione Memoria SRAM
512Kword x 8 bit
Intervallo di tensione di alimentazione
da 4,5V a 5,5V
Modello Case Memoria CI
TSOP-II
Numero di pin
32Pin
Tensione di alimentazione min
4.5V
Tensione di Alimentazione Nom
5V
Montaggio CI
montaggio superficiale
Temperatura di esercizio max
85°C
Standard di Qualifica Automotive
-
Dimensione Memoria
4Mbit
Densità di Memoria
4Mbit
Configurazione di memoria
512K parole x 8 bit
Package/case del circuito integrato
TSOP-II
Tempo di Accesso
55ns
Tensione di alimentazione max
5.5V
Frequenza di Clock Max
-
Temperatura di esercizio min
-40°C
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto