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NP100N04PUK-E1-AY
MOSFET di potenza, canale N, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK)
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ProduttoreRENESAS
Cod. produttoreNP100N04PUK-E1-AY
Codice Prodotto4307213RL
Gamma ProdottiNP100N04PUK Series
Datasheet tecnico
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Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 14 settimana/e
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| Quantità | |
|---|---|
| 1600+ | € 1,250 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreRENESAS
Cod. produttoreNP100N04PUK-E1-AY
Codice Prodotto4307213RL
Gamma ProdottiNP100N04PUK Series
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds40V
Corrente Continua di Drain Id100A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0023ohm
Stile di Case del TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza176W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiNP100N04PUK Series
QualificazioniAEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
100A
Stile di Case del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
176W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Tensione Drain Source Vds
40V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0023ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
NP100N04PUK Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:In attesa di conferma
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Tracciabilità del prodotto